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美国阿贡国家实验室钟晓亮博士和徐东伟博士来校交流
2017-04-18 16:23   审核人:

西电新闻网讯(通讯员段晓璇)应秦勇教授邀请,美国阿贡国家实验室材料科学部钟晓亮博士后研究员和徐东伟博士后研究员于3月28日来先进材料与纳米科技学院开展学术交流,并为学院师生带来2场学术报告。

钟晓亮博士首先为大家带来了题为“第一性原理计算在先进电子材料中的应用:从记忆电阻到石墨烯”的学术报告。他向大家简单介绍了其所在课题组的研究内容,接着介绍了第一性原理以及密度泛函理论的基本概念以及其在物理和化学方面的应用。紧接着,钟晓亮博士结合个人求学和科研经历,以记忆电阻和石墨烯在市场化中遇到的瓶颈为切入口,进一步阐述了第一性原理计算在推进先进电子材料的发展,揭示器件工作原理和优化器件性能中起到的关键作用。

钟晓亮博士作学术报告

随后,徐东伟博士为大家作了题为“利用蒙特卡罗方法研究GaN薄膜的生长”的学术报告。她介绍了利用动力学的蒙特卡洛模拟法从原子层面探索c面和m面GaN生长的研究,在原子层面的晶体生长研究中,晶体表面生长方向和结构的探索对基于GaN的LED和其他高能电子器件技术的开发具有重要意义。接着介绍了利用动力学蒙特卡洛模拟对晶体表面同质外延生长机理的研究。研究将c面(0001)和m面(0110)的GaN晶体生长做了比较,分别模拟了不同层次原子的三维生长边界。最终模拟结果可很好地吻合实验中所得到的GaN晶体生长的岛状形貌,证实各向异性的台阶棱边能(stepedge energy)是引起m面GaN晶体表面岛状结构的主要因素。

徐东伟博士作学术报告

现场互动交流

在最后的提问互动环节中,在场师生积极互动,钟晓亮博士和徐东伟博士对在场师生提出的问题进行了详细的解答与探讨。此次报告会促进了学院科研工作者和国外同行的学术交流和探讨,开拓了本科生和研究生的视野。

人物简介:

钟晓亮,美国阿贡国家实验室材料科学部博士后研究员。2003年本科毕业于南京大学物理系,2007年硕士毕业于兰州大学物理系。2007年起在密西根理工大学物理系攻读博士学位,主要研究石墨烯复合材料。2013年获博士学位,同年荣获美国物理学会研究生论坛杰出研究奖。2014年起在阿贡国家实验室担任博士后研究员,主要研究忆阻器,一种新型低功耗存储材料。在NanoLetters, Nanoscale, Carbon等SCI期刊发表论文18篇,其中关于忆阻器的工作在“今日阿贡”新闻中被特别报道。

徐东伟,2005兰州大学材料物理本科,2007年兰州大学物理学硕士,2012年美国俄克拉荷马州立大学物理学博士,主要研究无序导致的安德森拓扑绝缘体。2012年8月到2013年6月在密歇根理工大学物理系做研究人员,主要用第一性原理研究一维二维及块体的电学、力学、光学性质。2013年7月至2014年底在美国弗吉尼亚理工大学物理系及莫瑞谷学院物理系讲授大学物理。2015年2月至今在美国阿贡国家实验室材料学部做博士后,主要利用蒙特卡罗方法研究GaN薄膜的生长。

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