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郝跃院士获“2019年度陕西省最高科学技术奖”

3月11日,省长刘国中主持召开省政府第六次常务会议,研究了2019年度省科学技术奖励工作。会议决定,授予杨绍卿、安芷生、郝跃三位院士2019年度陕西省最高科学技术奖,对“复杂疾病相关模式发现理论与方法研究”等260个项目进行奖励。

多年来,郝跃院士奋斗在教学和科研第一线,长期从事新型宽禁带半导体材料和器件、微纳米半导体器件与高可靠集成电路等方面的科学研究与人才培养工作。自上世纪九十年代起,他开始研究第三代(宽禁带)半导体材料与器件,是我国第三代半导体电子学领域的开拓者和引领者。在氮化镓∕碳化硅第三代(宽禁带)半导体功能材料和微波器件、半导体短波长光电材料与器件研究和推广、微纳米CMOS器件可靠性与失效机理研究等方面取得了一系列创新成果。创建了我国第三代半导体氮化镓外延生长、器件结构以及制造工艺的理论与技术体系,实现了我国第三代半导体从核心设备、材料到器件的重大创新,并使我国在氮化物第三代半导体电子器件步入国际领先行列。


郝跃院士简介:

郝跃,安徽省阜阳人,1958年3月生于重庆市。微电子学专家,微电子学与固体电子学博士生导师。1982年毕业于西安电子科技大学半导体物理与器件专业,1991年在西安交通大学计算数学专业获博士学位。现任九三学社第十四届中央委员会常委和九三学社陕西省委主委、中国电子学会副理事长、国际IEEE学会高级会员。2013年当选中国科学院院士。

郝跃自上世纪九十年代开始从事新型宽禁带半导体材料和器件、微纳米半导体器件与高可靠集成电路等方面的科学研究与人才培养,开拓和引领了我国第三代(宽禁带)半导体电子材料与器件的发展,攻克研制出高质量材料生长的设备,实现了最高效率的氮化镓微波功率器件、最高亮度的深紫外氮化镓LED器件,创建了我国第三代半导体氮化镓外延生长、器件结构以及制造工艺的理论与技术体系,使我国在氮化物第三代半导体电子器件步入国际领先行列。

 

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